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元件参数资料
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参数目录43824
> STP11NM50N MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
型号:
STP11NM50N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STP11NM50N PDF
其它有关文件
STP11NM50N View All Specifications
标准包装
50
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
470 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
547pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
497-10576-5
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